Главная Продукция Запоминающие устройства

Запоминающие устройства

Запоминающее устройство выполняет роль хранилища, а также может записывать данные. Основу работы любого запоминающего устройства составляет физический эффект, в результате которого система в состоянии перейти сразу к нескольким устойчивым состояниям. При помощи запоминающего устройства организовывается память компьютера. Данный тип компьютерных устройств делится на аналоговые и цифровые ЗУ. Запоминающие устройства делятся на: флеш-память, жесткие и оптические диски, магнитные ЗУ, микросхемы. Они могут быть как интегрированными в систему, так и переносными.

Наименование Описание

Кол-во

MOQ

Срок изготовления
Образцы/партия
месяцев

ЭТЗУ001ТМ-В 32МБит

Запоминающее устройство Flash-типа (ПЗУ) объёмом памяти 32 Мбита (2M x 16 бит) с последовательным SPI-совместимым интерфейсом доступа.

Напряжение питания: +3.3 В (ввод-вывод), +1,8 В (ядро).

Ток потребления: до 30 мА и до 120 мА соответственно.

11

3/5

ЭТЗУ002ТМ-В

Запоминающее устройство Flash-типа (ПЗУ) объёмом памяти 32 Мбита (2M x 16 бит) с последовательным SPI-совместимым интерфейсом доступа со встроенным тактовым генератором и пассивными компонентами.

Напряжение питания: +3,3 В (ввод-вывод), +1,8 В (ядро).

Ток потребления: до 30 мА и до 120 мА соответственно.

1

3/5

ЭТЗУ003ТМ – 16МБит

Оперативное запоминающее устройство статического типа (СОЗУ) объёмом памяти 16 Мбит (512K х 32 бит) с параллельным интерфейсом и с автоматической системой обнаружения ошибок на основе кодов Хемминга.

Напряжение питания: +3,3 В (ввод-вывод), +1,8 В (ядро).

Ток потребления: до 300 мА (50 МГц, чтение) и до 650 мА (50 МГц, запись) соответственно.

 

1

3/5

ЭТЗУ003ТМ-В – 16МБит

1

3/5

ЭТЗУ004ТМ – 64МБит

Серия законченных модулей памяти Flash-типа (ПЗУ) объёмом 64/128/256 Мбит (2/4/8 x 2M x 16 бит) на основе ЗУ001ТМ со встроенной подсистемой питания, контроллером доступа к памяти и тактовым генератором.

Напряжение питания: +3,3 В.

Ток потребления: до 200 мА.

1

3/5

ЭТЗУ004ТМ– 128МБит

1

3/5

ЭТЗУ004ТМ– 256МБит

1

3/5

ЭТЗУ004ТМ –64МБит

1

3/5

ЭТЗУ004ТМ –128МБит

1

3/5

ЭТЗУ004ТМ –256МБит

1

3/5

ЭТЗУ007ТМ-64МБит

Модуль запоминающего устройство MRAM-типа (ПЗУ/ОЗУ) объёмом памяти 64 Мбит (4 х 2M x 8 бит) с параллельным интерфейсом.

Напряжение питания: +3,3 В.

Ток потребления: до 150 мА.

1

3/5

ЭТЗУ007ТМ-64МБит

1

3/5

ЭТЗУ008ТМ – 64Мбит/80Мбит/ 128Мбит/160 Мбит

 

 

Серия законченных модулей запоминающих устройств статического типа (СОЗУ) объёмом памяти 64/128 Мбит (4/8 x 512K х 32 бит) на основе ЗУ003ТМ со встроенной подсистемой питания и контроллером доступа к памяти.

Напряжение питания: +3,3 В.

Ток потребления: до 1 А.

1

3/5

1

3/5

1

3/5

ЭТЗУ29040ТМ (NEW)

 

50000

3/5

ЗУ101ТМ

ПЗУ с параллельным интерфейсом 

Объём памяти составляет не менее 256 Кбит и может быть увеличен по согласованию с Заказчиком.

Время чтения\записи: 70\70 нс

Напряжение питания: +3,0 – 5.5 В.

Ток потребления: до 10 мА.

10 3/5
ЗУ102ТМ

ПЗУ с параллельным и последовательным SPI интерфейсами 

Объём памяти составляет не менее 256 Кбит и может быть увеличен по согласованию с Заказчиком.

Время чтения\записи (паралл.инт.): 70\70 нс

Частота тактирования SPI: 10МГц

Напряжение питания: +3,0 – 5.5 В.

Ток потребления: до 10 мА.

10 3/5
ЭТЗУ010ТМ-И-24      

 

Показать меню
8 (499)703-04-11
Наверх